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  • 型号: MMSZ4V7T3
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4V7T3由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4V7T3价格参考。ON SemiconductorMMSZ4V7T3封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 4.7V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ4V7T3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4V7T3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMSZ4V7T3是ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款齐纳二极管,属于单个齐纳二极管类型。该器件的主要应用场景包括电压稳压、过压保护和参考电压源等。

1. 电压稳压:MMSZ4V7T3的齐纳击穿电压为4.7V,适用于需要稳定输出电压的应用场合。例如,在电源电路中,它可以用作辅助稳压元件,确保特定节点的电压保持在4.7V左右,从而为敏感电路提供稳定的供电。

2. 过压保护:该器件可以用于防止电路中的瞬态过压损坏其他敏感元件。当输入电压超过4.7V时,齐纳二极管会导通并将多余的电流分流到地,从而保护后级电路免受高电压冲击。

3. 参考电压源:由于其击穿电压相对稳定,MMSZ4V7T3可以用作精密电压参考源。例如,在模拟电路中,它可以为比较器、运算放大器等提供一个稳定的基准电压,确保电路的精度和可靠性。

4. 信号箝位:在信号处理电路中,MMSZ4V7T3可以用作信号箝位二极管,限制输入信号的最大幅度。这有助于防止信号电平超出安全范围,避免损坏后续的处理电路。

5. 温度补偿:虽然齐纳二极管的击穿电压会随温度变化,但通过适当的电路设计,如与温度系数相反的元件配合使用,可以实现一定程度的温度补偿,提高系统的稳定性。

总之,MMSZ4V7T3凭借其稳定的4.7V齐纳电压特性,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要精确电压控制和保护的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MMSZ4V7T3

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 2V

供应商器件封装

SOD-123

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

SOD-123

工作温度

-55°C ~ 150°C

标准包装

10,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

4.7V

阻抗(最大值)(Zzt)

80 欧姆

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