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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4700T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4700T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ4700T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 13V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ4700T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4700T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4700T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的单个齐纳二极管。该型号的齐纳二极管具有多种应用场景,主要应用于需要稳定电压和过压保护的电路中。 1. 稳压电路 MMSZ4700T1G 常用于稳压电路中,特别是在低功耗或小型化设计中。齐纳二极管的工作原理是在反向击穿区工作时,能够保持稳定的电压输出。通过将 MMSZ4700T1G 并联在电路中,可以在负载变化的情况下保持输出电压的稳定性。例如,在电源电路中,它可以作为参考电压源,确保后续电路的电压稳定。 2. 过压保护 该型号的齐纳二极管还可以用于过压保护电路。当输入电压超过设定的阈值时,齐纳二极管会导通并将多余的电压泄放到地,从而保护后级电路免受高电压的损害。这种应用常见于传感器、通信接口等对电压敏感的设备中。 3. 信号箝位 在模拟信号处理电路中,MMSZ4700T1G 可以用作信号箝位元件。它能够限制信号的幅值,防止信号超出预定范围,从而避免信号失真或损坏后续电路。例如,在音频放大器中,齐纳二极管可以用来防止过大的输入信号导致扬声器或其他元件损坏。 4. 温度补偿 由于齐纳二极管的反向击穿电压会随着温度的变化而变化,MMSZ4700T1G 可以与其他温度敏感元件配合使用,进行温度补偿。这在精密测量仪器或温度控制电路中尤为重要,能够提高系统的稳定性和精度。 5. 浪涌抑制 在电力电子系统中,MMSZ4700T1G 还可以用于抑制瞬态电压浪涌。例如,在开关电源或电机驱动电路中,齐纳二极管可以快速响应瞬时高压,保护电路中的其他元件免受损坏。 总结 MMSZ4700T1G 齐纳二极管适用于多种电路场景,包括稳压、过压保护、信号箝位、温度补偿和浪涌抑制等。其小巧的封装和稳定的性能使其成为许多电子设备中的关键元件,尤其是在对电压稳定性要求较高的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 13V 500MW SOD123稳压二极管 13V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ4700T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ4700T1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 9.8V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ4700T1GOS |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 13V |
电压容差 | 3 % |
系列 | MMSZ4700 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | - |
齐纳电压 | 13 V |
齐纳电流 | 50 uA |