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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4689T3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4689T3G价格参考。ON SemiconductorMMSZ4689T3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ4689T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4689T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4689T3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,属于 MMSZ 系列。它具有 5.1V 的齐纳电压(在测试电流下),适用于多种电路保护和稳压应用场景。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电压稳压 - MMSZ4689T3G 可用于为低功耗电路提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以将输出电压限制在 5.1V 左右,确保下游设备的供电稳定。 - 应用实例:为微控制器的 ADC 输入或参考电压电路提供基准电压。 2. 过压保护 - 在信号线或电源输入端,MMSZ4689T3G 可以用来防止过高电压损坏敏感元件。当输入电压超过 5.1V 时,齐纳二极管会导通,将多余的能量泄放到地。 - 应用实例:保护 USB 接口、传感器输入或其他低电压接口免受瞬态高压影响。 3. 电平转换 - 在不同电压等级的电路之间进行电平转换时,MMSZ4689T3G 可以用来限制信号电压幅值。例如,将高电压信号转换为适合低电压逻辑电路的电平。 - 应用实例:与电阻配合,实现 TTL 和 CMOS 信号之间的兼容性。 4. 噪声抑制 - 齐纳二极管可以用于抑制电源或信号线上的高频噪声。通过将电压波动钳位在特定范围内,MMSZ4689T3G 能够提高电路的抗干扰能力。 - 应用实例:在音频电路或模拟信号处理中减少电源噪声。 5. 温度补偿电路 - 利用齐纳二极管的温度特性,MMSZ4689T3G 可以与其他元件(如晶体管或电阻)结合,设计出具有温度补偿功能的电路。 - 应用实例:精密测量电路中的温度校正。 6. 电池充电指示 - 在简单的电池充电电路中,MMSZ4689T3G 可以用来检测充电电压是否达到设定值,并触发相应的指示信号。 - 应用实例:为小型镍氢电池或锂离子电池充电状态提供反馈。 注意事项: - 该器件的最大功率耗散为 400mW(在 Ta=25°C 时),因此需要根据实际应用选择合适的限流电阻,避免过载。 - 在高频或高功率应用中,需注意齐纳二极管的动态阻抗和响应速度。 总之,MMSZ4689T3G 是一款经济实用的齐纳二极管,适用于各种低功耗、中小功率的电子电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123稳压二极管 5.1V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ4689T3G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ4689T3G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 3V |
产品种类 | Diodes- Zener |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ4689T3GOSCT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 10000 |
最大反向漏泄电流 | 10 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.1V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ4689 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | - |
齐纳电压 | 5.1 V |
齐纳电流 | 50 uA |