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  • 型号: MMSZ3V0T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MMSZ3V0T1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ3V0T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ3V0T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ3V0T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ3V0T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ3V0T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMSZ3V0T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,属于齐纳二极管系列。其主要应用场景如下:

 1. 电压稳压
   - MMSZ3V0T1G 的齐纳电压为 3.0V,适用于低电压稳压电路。它可以在电源电压波动时提供稳定的参考电压,确保后级电路的正常工作。
   - 常用于小型电子设备中的电压调节,例如传感器模块、信号调理电路等。

 2. 过压保护
   - 在电路中,MMSZ3V0T1G 可以用作过压保护元件。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并将多余电压泄放到地,从而保护敏感器件。
   - 应用于 USB 接口、通信端口或其他需要电压限制的场景。

 3. 基准电压源
   - 由于其稳定的齐纳电压特性,MMSZ3V0T1G 可作为精密基准电压源,用于 ADC/DAC 转换器、比较器或运算放大器的参考电压输入。
   - 在需要高精度的应用中,可以与温度补偿电路配合使用。

 4. 信号箝位
   - 在信号处理电路中,MMSZ3V0T1G 可用于将输入信号的幅值限制在特定范围内,防止信号过大损坏后续电路。
   - 例如,在音频电路或射频电路中,用于保护放大器或混频器。

 5. 浪涌抑制
   - 齐纳二极管能够吸收瞬态电压浪涌,因此 MMSZ3V0T1G 可用于抑制电路中的瞬时高压,保护电路免受雷击或开关噪声的影响。
   - 常见于汽车电子、工业控制设备等环境较为恶劣的场合。

 6. 电池管理系统
   - 在电池充电或放电过程中,MMSZ3V0T1G 可用于监控电池电压,确保电池不会过充或过放。
   - 特别适合低功耗、小体积的电池管理应用。

 总结
MMSZ3V0T1G 的典型应用场景包括电压稳压、过压保护、基准电压源、信号箝位、浪涌抑制以及电池管理等。它凭借小巧的封装(DO-35)和稳定的性能,广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3V 500MW SOD123稳压二极管 3V 500mW

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ3V0T1G-

数据手册

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产品型号

MMSZ3V0T1G

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

10µA @ 1V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-123

其它名称

MMSZ3V0T1GOSCT

功率-最大值

500mW

功率耗散

500 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123

封装/箱体

SOD-123

工作温度

-55°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

10 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

95 Ohms

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3V

电压容差

5 %

系列

MMSZ3V0

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

95 欧姆

齐纳电压

3 V

齐纳电流

10 mA

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