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MMSZ3V0T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ3V0T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ3V0T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ3V0T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ3V0T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ3V0T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ3V0T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,属于齐纳二极管系列。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 - MMSZ3V0T1G 的齐纳电压为 3.0V,适用于低电压稳压电路。它可以在电源电压波动时提供稳定的参考电压,确保后级电路的正常工作。 - 常用于小型电子设备中的电压调节,例如传感器模块、信号调理电路等。 2. 过压保护 - 在电路中,MMSZ3V0T1G 可以用作过压保护元件。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并将多余电压泄放到地,从而保护敏感器件。 - 应用于 USB 接口、通信端口或其他需要电压限制的场景。 3. 基准电压源 - 由于其稳定的齐纳电压特性,MMSZ3V0T1G 可作为精密基准电压源,用于 ADC/DAC 转换器、比较器或运算放大器的参考电压输入。 - 在需要高精度的应用中,可以与温度补偿电路配合使用。 4. 信号箝位 - 在信号处理电路中,MMSZ3V0T1G 可用于将输入信号的幅值限制在特定范围内,防止信号过大损坏后续电路。 - 例如,在音频电路或射频电路中,用于保护放大器或混频器。 5. 浪涌抑制 - 齐纳二极管能够吸收瞬态电压浪涌,因此 MMSZ3V0T1G 可用于抑制电路中的瞬时高压,保护电路免受雷击或开关噪声的影响。 - 常见于汽车电子、工业控制设备等环境较为恶劣的场合。 6. 电池管理系统 - 在电池充电或放电过程中,MMSZ3V0T1G 可用于监控电池电压,确保电池不会过充或过放。 - 特别适合低功耗、小体积的电池管理应用。 总结 MMSZ3V0T1G 的典型应用场景包括电压稳压、过压保护、基准电压源、信号箝位、浪涌抑制以及电池管理等。它凭借小巧的封装(DO-35)和稳定的性能,广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 3V 500MW SOD123稳压二极管 3V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ3V0T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ3V0T1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 1V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ3V0T1GOSCT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 10 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 95 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ3V0 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 95 欧姆 |
齐纳电压 | 3 V |
齐纳电流 | 10 mA |