ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MMST5551-TP
Datasheet下载- 型号： MMST5551-TP
- 制造商： MCC
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMST5551-TP由MCC设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMST5551-TP价格参考。MCCMMST5551-TP封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 200mA 300MHz 200mW 表面贴装 SOT-323。您可以下载MMST5551-TP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMST5551-TP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMST5551-TP 是由 Micro Commercial Co 生产的一款 NPN 型双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子电路中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 信号放大 MMST5551-TP 具有良好的电流增益特性，适用于音频、射频等信号的放大。它可以在低噪声、高增益的情况下工作，适合用于前置放大器、中间频率放大器等场景。 2. 开关应用 由于其快速的开关特性和较低的饱和电压，MMST5551-TP 可以用作开关元件，控制负载的通断。例如，在数字电路中，它可以作为驱动LED、继电器或其他低功耗设备的开关。 3. 电源管理 在一些小型电源管理系统中，MMST5551-TP 可以用于电流调节或电压稳压电路。它能够帮助稳定输出电压，防止过载或短路对电路造成损害。 4. 传感器接口 在传感器接口电路中，MMST5551-TP 可以用于信号调理，将传感器输出的微弱信号放大到可以被后续处理电路识别的水平。例如，在温度传感器、光敏传感器等应用中，它可以帮助提高信号的可靠性和精度。 5. 通信设备 在通信设备中，MMST5551-TP 可以用于调制解调电路、振荡器和混频器等关键组件。它的高频特性使其适合用于射频（RF）电路的设计，确保信号传输的稳定性和可靠性。 6. 消费电子产品 在消费电子产品中，如收音机、电视机、音响设备等，MMST5551-TP 经常用于音频放大、电源管理和信号处理等环节。它的紧凑封装和可靠的性能使其成为这些产品中的理想选择。 总的来说，MMST5551-TP 凭借其优异的电气特性和广泛的适用性，成为了许多电子设计中的重要元件，尤其适合需要高性能、低成本解决方案的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 160V 200MA SOT323两极晶体管 - BJT 200mA 160V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Micro Commercial Components (MCC) |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Micro Commercial Components (MCC) MMST5551-TP- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMST5551-TP |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24932 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | MMST5551TPMSCT |
| 其它图纸 |
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| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Micro Commercial Components (MCC) |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q2951220/353-8002-KIT-ND/1372189 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MMST5551 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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