Datasheet下载- 型号： MMIX1F44N100Q3
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMIX1F44N100Q3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMIX1F44N100Q3价格参考。IXYSMMIX1F44N100Q3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMIX1F44N100Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMIX1F44N100Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 1000V 30AMOSFET HiperFET Pwr MOSFET Q3-Class |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS MMIX1F44N100Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMIX1F44N100Q3 |
| Qg-GateCharge | 264 nC |
| Qg-栅极电荷 | 264 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 245 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 245 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 264nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 245 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 24-SMPD |
| 功率-最大值 | 694W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 24-BESOP（0.906"，23.00mm 宽）21 引线，裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | SMPD-24/21 |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 20 |
| 正向跨导-最小值 | 43 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-hiperfet-power-mosfet-smpd/2526 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | MMIX1F44N100 |
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