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  • 型号: MMIX1F360N15T2
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMIX1F360N15T2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMIX1F360N15T2价格参考。IXYSMMIX1F360N15T2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMIX1F360N15T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMIX1F360N15T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 150V 235A

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

MMIX1F360N15T2

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchT2™ GigaMOS™ HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

47500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

715nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.4 毫欧 @ 100A,10V

供应商器件封装

24-SMPD

功率-最大值

680W

包装

管件

安装类型

表面贴装

封装/外壳

24-BESOP(0.906",23.00mm 宽)21 引线,裸露焊盘

标准包装

20

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

235A (Tc)

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