Datasheet下载- 型号： MMDT5451-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT5451-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT5451-7-F价格参考￥0.30-￥0.83。Diodes Inc.MMDT5451-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDT5451-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT5451-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT5451-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，属于 NPN/PNP 互补型双晶体管阵列。其主要应用场景包括但不限于以下方面： 1. 信号放大 - MMDT5451-7-F 的 NPN 和 PNP 晶体管可以用于设计音频放大器、运算放大器等信号放大电路。通过组合使用 NPN 和 PNP 晶体管，能够实现推挽式输出级，从而提高效率和降低失真。 2. 开关电路 - 在数字电路中，该器件可用作高速开关。例如，在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制中，利用 BJT 的开关特性实现对负载的通断控制。 3. 电源管理 - 在线性稳压器或 DC-DC 转换器中，MMDT5451-7-F 可作为电流调节器或保护电路的一部分，用于过流保护、短路保护等功能。 4. 传感器接口 - 该器件适用于将微弱的传感器信号进行放大和处理。例如，在温度传感器、压力传感器或其他模拟信号源中，可以利用 BJT 的高增益特性来增强信号强度。 5. 音频设备 - 在便携式音频设备（如耳机放大器）中，MMDT5451-7-F 可用于构建高效且低噪声的音频功率放大器，提供清晰的声音输出。 6. 通信设备 - 在低频通信系统中，这款双极晶体管可用于调制解调器、混频器以及滤波器等模块，以实现信号的调制与解调功能。 7. 工业控制 - 在工业自动化领域，该器件可应用于 PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等设备中的信号处理与控制部分。 特点总结： - 低噪声：适合精密信号处理。 - 高增益：适用于需要较大电流放大的场合。 - 紧凑封装：节省空间，便于小型化设计。 - 宽工作电压范围：适应多种应用场景。 综上所述，MMDT5451-7-F 凭借其优异的性能和灵活性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及音频处理等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363两极晶体管 - BJT 160 / 160V 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT5451-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT5451-7-F |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V / 60 @ 10mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Transistor - Small Signal Dual Complimentary |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT5451-FDICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V，150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 240 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MMDT5451 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 160 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
| 集电极连续电流 | - 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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