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Datasheet下载- 型号： MMDT4146-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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MMDT4146-7产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT4146-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT4146-7价格参考。Diodes Inc.MMDT4146-7封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 25V 200mA 300MHz, 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载MMDT4146-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT4146-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 25V 200MA SOT363TRANS NPN/PNP 25V 200MA SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | Diodes IncorporatedDiodes/Zetex |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDT4146-7MMDT4146-7 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | -- |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 2mA，1V120 @ 2mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-363SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT4146 |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT）带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-3636-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | NPN，PNPNPN，PNP |
| 标准包装 | 3,0001 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | -- |
| 频率-跃迁 | 300MHz，250MHz300MHz，250MHz |
