ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > MMDT3946LP4-7
Datasheet下载- 型号： MMDT3946LP4-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT3946LP4-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT3946LP4-7价格参考。Diodes Inc.MMDT3946LP4-7封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 200mA 300MHz, 250MHz 200mW Surface Mount DFN1310H4-6。您可以下载MMDT3946LP4-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT3946LP4-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 200MA 6DFN两极晶体管 - BJT BIPOLAR COMP. |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT3946LP4-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT3946LP4-7 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-DFN1310H4（1.0x1.3） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V at NPN, 5 V at PNP |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz at NPN, 250 MHz at PNP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
| 封装/箱体 | DFN |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 系列 | MMDT3946 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V at NPN, 40 V at PNP |
| 频率-跃迁 | 300MHz，250MHz |
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