ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > MMDT3946LP4-7
Datasheet下载- 型号： MMDT3946LP4-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT3946LP4-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT3946LP4-7价格参考。Diodes Inc.MMDT3946LP4-7封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 200mA 300MHz, 250MHz 200mW Surface Mount DFN1310H4-6。您可以下载MMDT3946LP4-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT3946LP4-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的MMDT3946LP4-7是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，其应用场景广泛，尤其适用于需要多路信号切换、驱动和保护的电路设计。以下是该型号的一些具体应用场景： 1. 多通道开关应用 MMDT3946LP4-7包含多个双极型晶体管（BJT），可以用于多通道的开关控制。例如，在音频设备中，它可以用作多路音频信号的选择器，通过不同的晶体管来选择不同的输入或输出通道，实现音源切换功能。 2. 信号放大与驱动 在需要对微弱信号进行放大的场合，如传感器信号处理、无线通信设备中的低噪声放大等，MMDT3946LP4-7可以作为信号放大器的核心元件。它能够提供稳定的增益，确保信号不失真地传输到后续处理电路。 3. 电源管理与保护 在电源管理系统中，MMDT3946LP4-7可用于过流保护、短路保护等场景。通过晶体管的快速响应特性，它可以有效地检测并切断异常电流路径，防止电路因过载而损坏。此外，它还可以用于电压调节电路中，帮助稳定输出电压。 4. LED驱动与显示控制 对于LED显示屏或其他类型的发光二极管阵列，MMDT3946LP4-7可以作为驱动元件，控制多个LED的亮灭。由于其内置多个晶体管，能够同时驱动多个LED通道，简化了电路设计，减少了外部元件的数量。 5. 电机控制 在小型电机控制系统中，MMDT3946LP4-7可以用于驱动电机的正反转控制、速度调节等功能。通过控制晶体管的导通状态，可以实现对电机的精确控制，适用于玩具、智能家居等领域的电机驱动需求。 6. 消费电子设备 在消费电子产品中，如手机、平板电脑等，MMDT3946LP4-7可以用于内部信号的切换与处理。例如，在触摸屏控制器中，它可以帮助切换不同的触控信号路径，确保触摸操作的准确性和响应速度。 总结 MMDT3946LP4-7凭借其多通道、高可靠性的特点，广泛应用于信号切换、放大、驱动、保护等多种场景，特别适合需要多路控制和高效能的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 200MA 6DFN两极晶体管 - BJT BIPOLAR COMP. |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT3946LP4-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT3946LP4-7 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-DFN1310H4（1.0x1.3） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V at NPN, 5 V at PNP |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz at NPN, 250 MHz at PNP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
| 封装/箱体 | DFN |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 系列 | MMDT3946 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V at NPN, 40 V at PNP |
| 频率-跃迁 | 300MHz，250MHz |
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