ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > MMDT2227-7-F
Datasheet下载- 型号： MMDT2227-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT2227-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT2227-7-F价格参考。Diodes Inc.MMDT2227-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V, 60V 600mA 300MHz, 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载MMDT2227-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT2227-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT2227-7-F是由Diodes Incorporated生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，其主要应用场景包括但不限于以下几种： 1. 信号放大与处理：该器件适用于需要高增益和低噪声的信号放大电路。例如，在音频设备、传感器信号调理电路中，MMDT2227-7-F可以提供稳定的放大性能，确保信号不失真且具有良好的信噪比。 2. 开关应用：在数字电路中作为高速开关使用。由于其快速的开关速度和低饱和压降特性，适合用于脉宽调制(PWM)控制器、DC-DC转换器等电源管理模块中的开关元件。 3. 保护电路：可用于过流保护、短路保护等场合。通过设置适当的偏置条件，当电流超过设定阈值时，它能够迅速响应并切断电流路径，从而保护后续电路免受损坏。 4. 通信系统：在无线通信基站、移动终端等设备中，此款双极型晶体管阵列可用于射频前端模块中的功率放大器部分，帮助提高发射效率及接收灵敏度。 5. 工业自动化控制：如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等领域，MMDT2227-7-F可以实现对电机、电磁阀等执行机构的精确控制。 6. 消费电子类产品：例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子产品内部的各类电路板上也会用到这类高性能的双极型晶体管阵列，以满足产品小型化、集成化的要求。 总之，MMDT2227-7-F凭借其优良的电气参数和可靠性，在众多领域都有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT363两极晶体管 - BJT 40 / 60V 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT2227-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT2227-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT2227-FDICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V，60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMDT2227 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 75 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz，200MHz |
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