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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 3VWM 8VC SOT23TVS二极管阵列 5.6V 225mW Dual Common Anode |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor MMBZ5V6ALT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBZ5V6ALT1G |
PCN设计/规格 | |
不同频率时的电容 | - |
产品目录页面 | |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBZ5V6ALT1GOSDKR |
击穿电压 | 5.32 V |
功率-峰值脉冲 | 24W |
包装 | Digi-Reel® |
单向通道 | 2 |
双向通道 | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
尺寸 | 1.3 mm W x 2.9 mm L x 0.94 mm H |
峰值浪涌电流 | 3 A |
峰值脉冲功率耗散 | 24 W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工作电压 | 3 V |
工厂包装数量 | 3000 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 5.32V |
电压-反向关态(典型值) | 3V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 8V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3A |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
系列 | MMBZxxxALT1 |
通道 | 2 Channels |
钳位电压 | 8 V |