【二极管 - 齐纳 - 单_MMBZ5257BLT1G】封装/厂家_MMBZ5257BLT1G中文资料_价格

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型号： MMBZ5257BLT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5257BLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5257BLT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5257BLT1G封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 33V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBZ5257BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5257BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MMBZ5257BLT1G是一款单齐纳二极管，广泛应用于各种电子设备中。其主要应用场景包括：

1. 电压稳压：该二极管常用于需要稳定电压的电路中。例如，在电源设计中，它可以确保输出电压在一定范围内保持恒定，即使输入电压或负载发生变化。这有助于保护敏感的电子元件免受电压波动的影响。

2. 过压保护：MMBZ5257BLT1G可用于防止电路中的瞬时过电压损坏其他组件。它可以在电压超过设定值时迅速导通，将多余的电压泄放到地，从而保护电路中的其他元件。

3. 参考电压源：由于齐纳二极管具有稳定的反向击穿电压特性，它可以作为精密的参考电压源。在模拟电路和混合信号电路中，这种特性非常有用，能够为ADC、DAC等提供稳定的基准电压。

4. 浪涌抑制：在电源线或信号线上可能出现的瞬态浪涌电流或电压可能会对电路造成损害。MMBZ5257BLT1G可以快速响应这些瞬态事件，吸收多余的能量，保护电路免受浪涌冲击。

5. 温度补偿：某些应用中，温度变化会影响电路性能。MMBZ5257BLT1G可以通过适当的电路设计，提供温度补偿功能，确保在不同温度条件下，电路仍能保持稳定的性能。

6. 通信设备：在通信系统中，齐纳二极管可以用于保护收发器和其他关键组件免受静电放电（ESD）和瞬态电压的损害。此外，它还可以用于生成稳定的偏置电压，确保通信链路的可靠性和稳定性。

总之，MMBZ5257BLT1G凭借其稳定的反向击穿电压和快速响应特性，在许多电子设备中扮演着至关重要的角色，特别是在需要精确电压控制和保护的应用场景中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE ZENER 33V 225MW SOT23-3稳压二极管 33V 225mW
产品分类	单二极管/齐纳分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5257BLT1G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MMBZ5257BLT1G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
不同If时的电压-正向(Vf)	900mV @ 10mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	100nA @ 25V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	稳压二极管
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMBZ5257BLT1GOSTR
功率-最大值	225mW
功率耗散	300 mW
包装	带卷（TR）
商标	ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
容差	±5%
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23
工作温度	-65°C ~ 150°C
工厂包装数量	3000
最大反向漏泄电流	100 nA
最大工作温度	+ 150 C
最大齐纳阻抗	58 Ohms
最小工作温度	- 65 C
标准包装	3,000
电压-齐纳（标称值）(Vz)	33V
电压容差	5 %
系列	MMBZ5257B
配置	Single
阻抗（最大值）(Zzt)	58 欧姆
齐纳电压	33 V
齐纳电流	10 mA

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