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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5248BLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5248BLT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5248BLT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 18V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBZ5248BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5248BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5248BLT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的单齐纳二极管,广泛应用于各种电子电路中。这款二极管具有低功耗、高稳定性和快速响应的特点,适用于多种应用场景。 1. 电压稳压 MMBZ5248BLT1G 的主要应用之一是电压稳压。它可以在电源电路中作为参考电压源,确保输出电压的稳定性。其齐纳击穿电压为 4.7V,能够在电源波动时保持输出电压的恒定,特别适合用于对电压精度要求较高的场合,如传感器供电、微控制器电源等。 2. 过压保护 在许多电子设备中,过压可能会导致电路损坏。MMBZ5248BLT1G 可以用作过压保护元件。当输入电压超过设定的安全范围时,齐纳二极管会导通,将多余的电压通过自身泄放掉,从而保护后级电路不受损害。这种特性使得它在通信设备、工业控制系统等领域非常有用。 3. 信号箝位 在信号处理电路中,MMBZ5248BLT1G 可以用于信号箝位,限制信号的最大幅度。例如,在模拟信号传输过程中,可能会出现瞬态过冲或欠冲现象,使用齐纳二极管可以将信号限制在一个安全范围内,防止信号失真或损坏敏感元件。 4. 温度补偿 某些应用中,温度变化可能会影响电路性能。MMBZ5248BLT1G 具有较好的温度稳定性,可以在温度变化较大的环境中提供稳定的电压参考。因此,它常用于需要温度补偿的电路中,如精密测量仪器、温度传感器等。 5. 浪涌吸收 在电力电子设备中,浪涌电流是一个常见的问题。MMBZ5248BLT1G 可以吸收瞬态浪涌能量,保护电路免受瞬时大电流的冲击。它能够快速响应并有效地将多余的能量释放出去,确保电路的安全运行。 总之,MMBZ5248BLT1G 齐纳二极管凭借其出色的性能和可靠性,广泛应用于电压稳压、过压保护、信号箝位、温度补偿和浪涌吸收等多种场景,适用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3稳压二极管 18V 225mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5248BLT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBZ5248BLT1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 14V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBZ5248BLT1GOSDKR |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 21 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 18V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMBZ5248B |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 21 欧姆 |
齐纳电压 | 18 V |
齐纳电流 | 10 mA |