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  • 型号: MMBZ5243BLT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5243BLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5243BLT1G价格参考¥0.10-¥0.11。ON SemiconductorMMBZ5243BLT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 13V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBZ5243BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5243BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5243BLT1G 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的单个齐纳二极管。该型号属于 MMBZ52 系列,具有以下特点和应用场景:

 主要参数
- 额定功率:0.5W
- 齐纳电压 (Vz):4.3V
- 最大反向电流 (Izt):5mA
- 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
- 封装形式:SOD-882 小型表面贴装封装

 应用场景

 1. 电压稳压
MMBZ5243BLT1G 最常见的应用场景是作为电压稳压元件。它可以在电源电路中提供稳定的参考电压,确保输出电压在负载变化时保持恒定。例如,在低压差线性稳压器(LDO)或开关电源中,可以使用 MMBZ5243BLT1G 来设定反馈电压,从而实现精确的电压调节。

 2. 过压保护
该二极管还可以用于过压保护电路中。当输入电压超过设定的齐纳电压时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,防止下游电路受到损坏。这种保护机制广泛应用于敏感电子设备、传感器接口以及通信模块中。

 3. 信号箝位
在模拟信号处理和数字电路中,MMBZ5243BLT1G 可以用于信号箝位。它能够限制信号的幅值,确保信号不会超出安全范围。例如,在音频放大器、数据采集系统中,可以使用齐纳二极管来防止信号过载,避免失真或损坏。

 4. 温度补偿
由于其宽广的工作温度范围,MMBZ5243BLT1G 也适用于需要温度补偿的应用。例如,在高精度测量仪器或环境恶劣的工业控制系统中,齐纳二极管可以与其他温度敏感元件配合使用,以抵消温度变化对电路性能的影响。

 5. 电源监控
在一些电源监控电路中,MMBZ5243BLT1G 可以用来检测电源电压是否低于或高于某个阈值,并触发相应的保护措施。例如,在电池管理系统(BMS)中,齐纳二极管可以帮助监测电池电压,确保电池在安全范围内工作。

总之,MMBZ5243BLT1G 齐纳二极管凭借其紧凑的封装、稳定的性能和广泛的适用性,在各种电子设备和电路设计中发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 13V 225MW SOT23-3稳压二极管 13V 225mW

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5243BLT1G-

数据手册

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产品型号

MMBZ5243BLT1G

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 9.9V

产品目录页面

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产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBZ5243BLT1GOSTR

功率-最大值

225mW

功率耗散

300 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

500 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

13 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

13V

电压容差

5 %

系列

MMBZ5243B

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

13 欧姆

齐纳电压

13 V

齐纳电流

10 mA

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