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MMBZ5240BLT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5240BLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5240BLT1G价格参考¥0.09-¥0.09。ON SemiconductorMMBZ5240BLT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 10V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBZ5240BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5240BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBZ5240BLT1G是一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括电压稳压、过压保护和信号电平移位等。这款二极管具有较低的反向击穿电压(约4.0V)和较小的封装尺寸(SOD-882),因此适用于对空间要求严格的小型化设计。 1. 电压稳压 MMBZ5240BLT1G可以用于提供稳定的参考电压。它在反向击穿区域内的电压相对稳定,适合用作精密电压基准源,例如在电源电路中为ADC(模数转换器)、DAC(数模转换器)或传感器供电时提供稳定的参考电压。 2. 过压保护 该二极管可以在瞬态电压过高时迅速导通,将多余的电压泄放到地,从而保护下游电路免受损坏。典型的应用场景包括电源输入端的过压保护、通信接口(如RS-232、USB等)的ESD(静电放电)保护以及电池充电电路中的过充保护。 3. 信号电平移位 在某些情况下,需要将一个信号从较高的电压电平转换为较低的电压电平,或者反之。MMBZ5240BLT1G可以通过钳位作用实现这种电平移位功能,确保信号在不同电压域之间安全传输。例如,在逻辑电平转换器或模拟信号处理电路中使用。 4. 消除噪声与干扰 由于其快速响应特性,MMBZ5240BLT1G还可以用于抑制电源线上的高频噪声和尖峰脉冲,提高系统的抗干扰能力,特别是在开关电源或数字电路中。 总之,MMBZ5240BLT1G凭借其紧凑的设计、稳定的性能和广泛的适用性,在消费电子、工业控制、汽车电子等领域有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 10V 225MW SOT23-3稳压二极管 10V 225mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5240BLT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBZ5240BLT1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 8V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBZ5240BLT1GOSDKR |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 3 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 17 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 10V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMBZ5240B |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 17 欧姆 |
齐纳电压 | 10 V |
齐纳电流 | 10 mA |