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  • 型号: MMBZ5239BLT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MMBZ5239BLT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5239BLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5239BLT1G价格参考¥0.42-¥0.42。ON SemiconductorMMBZ5239BLT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 9.1V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBZ5239BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5239BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MMBZ5239BLT1G是一款单齐纳二极管,广泛应用于各种电子电路中。该器件的主要应用场景包括电压稳压、过压保护和基准电压源等。

1. 电压稳压:MMBZ5239BLT1G可以用于稳定电路中的电压。它能够在输入电压波动时保持输出电压的稳定,适用于电源电路、传感器接口和其他需要精确电压控制的应用。其齐纳击穿电压为5.1V,能够提供稳定的参考电压。

2. 过压保护:在电源或信号线路上,可能会遇到瞬态过压情况,如静电放电(ESD)或电感负载引起的电压尖峰。MMBZ5239BLT1G可以在这些情况下迅速导通,将多余的电压泄放到地,从而保护敏感的下游电路免受损坏。

3. 基准电压源:由于其稳定的击穿电压特性,该齐纳二极管可以用作精密的基准电压源。例如,在模拟电路中,它可以为运放、比较器或其他需要精确电压参考的元件提供稳定的电压基准。

4. 浪涌抑制:在一些工业应用中,电路可能面临较大的电压浪涌。MMBZ5239BLT1G可以与TVS二极管等其他保护器件配合使用,共同抑制浪涌电压,确保系统的可靠性。

5. 电池管理系统:在电池充电和管理系统中,齐纳二极管可以用于监控电池电压,确保电池不会过度充电或放电。MMBZ5239BLT1G的小尺寸和低功耗特性使其非常适合便携式设备中的电池管理应用。

总之,MMBZ5239BLT1G凭借其可靠的性能和广泛的适用性,成为许多电子设计中的关键元件,特别适用于需要稳定电压和过压保护的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3稳压二极管 9.1V 225mW

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5239BLT1G-

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产品型号

MMBZ5239BLT1G

PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 7V

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产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBZ5239BLT1GOS
MMBZ5239BLT1GOS-ND
MMBZ5239BLT1GOSCT

功率-最大值

225mW

功率耗散

300 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

3 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

10 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

9.1V

电压容差

5 %

系列

MMBZ5239B

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

10 欧姆

齐纳电压

9.1 V

齐纳电流

10 mA

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