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MMBZ5239BLT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5239BLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5239BLT1G价格参考¥0.42-¥0.42。ON SemiconductorMMBZ5239BLT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 9.1V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBZ5239BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5239BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBZ5239BLT1G是一款单齐纳二极管,广泛应用于各种电子电路中。该器件的主要应用场景包括电压稳压、过压保护和基准电压源等。 1. 电压稳压:MMBZ5239BLT1G可以用于稳定电路中的电压。它能够在输入电压波动时保持输出电压的稳定,适用于电源电路、传感器接口和其他需要精确电压控制的应用。其齐纳击穿电压为5.1V,能够提供稳定的参考电压。 2. 过压保护:在电源或信号线路上,可能会遇到瞬态过压情况,如静电放电(ESD)或电感负载引起的电压尖峰。MMBZ5239BLT1G可以在这些情况下迅速导通,将多余的电压泄放到地,从而保护敏感的下游电路免受损坏。 3. 基准电压源:由于其稳定的击穿电压特性,该齐纳二极管可以用作精密的基准电压源。例如,在模拟电路中,它可以为运放、比较器或其他需要精确电压参考的元件提供稳定的电压基准。 4. 浪涌抑制:在一些工业应用中,电路可能面临较大的电压浪涌。MMBZ5239BLT1G可以与TVS二极管等其他保护器件配合使用,共同抑制浪涌电压,确保系统的可靠性。 5. 电池管理系统:在电池充电和管理系统中,齐纳二极管可以用于监控电池电压,确保电池不会过度充电或放电。MMBZ5239BLT1G的小尺寸和低功耗特性使其非常适合便携式设备中的电池管理应用。 总之,MMBZ5239BLT1G凭借其可靠的性能和广泛的适用性,成为许多电子设计中的关键元件,特别适用于需要稳定电压和过压保护的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3稳压二极管 9.1V 225mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5239BLT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBZ5239BLT1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBZ5239BLT1GOS |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 3 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMBZ5239B |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
齐纳电压 | 9.1 V |
齐纳电流 | 10 mA |