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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5235BT-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5235BT-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5235BT-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 6.8V 150mW ±5% Surface Mount SOT-523。您可以下载MMBZ5235BT-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5235BT-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的MMBZ5235BT-7-F是一款单齐纳二极管,具有多种应用场景。该器件的主要功能是提供电压调节和过压保护,适用于需要稳定电压或防止电压过高的电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源稳压:MMBZ5235BT-7-F可以用于低压差线性稳压器(LDO)或其他电源电路中,确保输出电压保持在设定值。它能够在负载变化或输入电压波动时维持稳定的输出电压,特别适合对电压稳定性要求较高的应用。 2. 过压保护:该二极管可以在电路中用作过压保护元件,防止瞬态高压损坏敏感电子元件。例如,在通信设备、传感器模块或消费电子产品中,它可以吸收瞬时过电压,保护后端电路免受损害。 3. 参考电压源:齐纳二极管可以用作精密参考电压源,为模拟电路或混合信号电路提供稳定的基准电压。MMBZ5235BT-7-F的低噪声特性和高精度使其成为理想的参考电压选择,广泛应用于ADC/DAC、运放等电路中。 4. 浪涌抑制:在电力线或信号线中,可能会出现由雷击、开关操作等原因引起的浪涌电压。MMBZ5235BT-7-F可以快速响应并钳位这些浪涌电压,保护电路中的其他元件不受损坏。 5. 信号电平转换:在某些情况下,可能需要将一个信号从一个电平转换到另一个电平。MMBZ5235BT-7-F可以通过钳位作用实现这一功能,确保信号在特定范围内工作,避免超出允许范围。 6. 温度补偿:某些应用中,齐纳二极管还可以用于温度补偿电路,通过其正向和反向特性来抵消温度变化对电路性能的影响。 总之,MMBZ5235BT-7-F作为一款高性能的单齐纳二极管,凭借其稳定的电压调节能力和过压保护特性,广泛应用于各种电子设备和系统中,确保电路的可靠性和稳定性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 6.8V 150MW SOT523稳压二极管 150MW 6.8V |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5235BT-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBZ5235BT-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 5V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-523 |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-523 |
封装/箱体 | SOT-523 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 3 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 5 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMBZ5235B |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 5 欧姆 |
齐纳电压 | 6.8 V |