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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5235B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5235B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5235B-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 6.8V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBZ5235B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5235B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的MMBZ5235B-7-F是一款单齐纳二极管,广泛应用于各种电子电路中。该型号的具体应用场景如下: 1. 电压稳压:MMBZ5235B-7-F的主要应用之一是作为电压稳压器。它能够在输入电压波动的情况下,提供稳定的输出电压。例如,在电源电路中,它可以确保负载设备获得恒定的工作电压,防止因电压波动而导致的设备损坏或性能下降。 2. 过压保护:该二极管可以用于保护敏感电路免受瞬态过压的影响。在通信设备、传感器和控制系统中,齐纳二极管可以在电压超过预定阈值时导通,将多余的电压泄放掉,从而保护后级电路不受损害。 3. 参考电压源:MMBZ5235B-7-F可以用作精密参考电压源。在模拟电路设计中,如运算放大器、比较器等,需要一个稳定的参考电压来确保电路的精度和稳定性。齐纳二极管能够提供一个相对稳定的电压基准,适用于对精度要求较高的场合。 4. 信号箝位:在信号处理电路中,齐纳二极管可以用于箝位信号,限制信号的幅度。例如,在音频放大器中,它可以防止信号超过安全范围,避免失真或损坏扬声器。 5. 浪涌抑制:在电力线通信和工业控制领域,齐纳二极管可以用于抑制电力线上的瞬态浪涌电压。通过快速响应并导通,它可以有效地吸收瞬态能量,保护下游设备。 6. 温度补偿:某些应用中,齐纳二极管可以与温度传感器配合使用,进行温度补偿。由于齐纳二极管的击穿电压随温度变化而变化,因此可以通过适当的电路设计,实现对温度的精确测量和补偿。 总之,MMBZ5235B-7-F凭借其稳定的性能和广泛的适用性,在各种电子设备和系统中发挥着重要作用。无论是稳压、保护还是信号处理,这款齐纳二极管都能提供可靠的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 6.8V 350MW SOT23-3稳压二极管 6.8V 350mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5235B-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBZ5235B-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | MMBZ5235B-FDIDKR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 350mW |
功率耗散 | 350 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 3 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 5 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMBZ5235B |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 5 欧姆 |
齐纳电压 | 6.8 V |
齐纳电流 | 20 mA |