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MMBZ5226BLT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5226BLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5226BLT1G价格参考¥0.10-¥0.12。ON SemiconductorMMBZ5226BLT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3.3V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBZ5226BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5226BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5226BLT1G 是由 ON Semiconductor 生产的单齐纳二极管,具有多种应用场景。以下是一些典型的应用: 1. 电压稳压:MMBZ5226BLT1G 常用于电路中提供稳定的参考电压。其齐纳击穿电压为 6.8V,适用于需要精确电压控制的场合,如电源电路中的电压稳定器。 2. 过压保护:该二极管可以用来保护敏感电子元件免受瞬时高电压的影响。例如,在输入端或输出端可能出现电压尖峰的情况下,它可以迅速导通,将多余的能量泄放到地线,从而保护后续电路。 3. 信号电平转换:在模拟和数字电路之间进行信号传输时,可能需要不同的电平标准。MMBZ5226BLT1G 可以帮助实现这种转换,确保信号在不同电平之间的正确传递。 4. 电流限制:通过与电阻串联使用,它可以起到限流作用,防止过大的电流通过负载,从而避免损坏其他组件。 5. 温度补偿:某些应用中,温度变化会影响电路性能。MMBZ5226BLT1G 的温度系数相对较小,因此可以在温度敏感环境中提供更稳定的电压参考点。 6. 基准电压源:在精密测量仪器、数据采集系统等设备中,它可以用作内部或外部基准电压源,确保测量结果的准确性。 7. 浪涌抑制:对于可能会遇到较大电压波动的工作环境(如汽车电子),它可以有效地抑制电压浪涌,保证系统的可靠运行。 总之,MMBZ5226BLT1G 齐纳二极管凭借其稳定的电气特性,在各种电力电子和信号处理应用中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3稳压二极管 3.3V 225mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5226BLT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBZ5226BLT1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 25µA @ 1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBZ5226BLT1GOSDKR |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 25 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 28 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.3V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMBZ5226B |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 28 欧姆 |
齐纳电压 | 3.3 V |
齐纳电流 | 10 mA |