图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MMBZ12VALT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ12VALT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ12VALT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ12VALT1G封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载MMBZ12VALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ12VALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23TVS二极管阵列 12V Dual Zener Common Anode |
产品分类 | |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor MMBZ12VALT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBZ12VALT1G |
PCN设计/规格 | |
不同频率时的电容 | - |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBZ12VALT1GOSDKR |
击穿电压 | 11.4 V |
功率-峰值脉冲 | 40W |
包装 | Digi-Reel® |
单向通道 | 2 |
双向通道 | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
尺寸 | 1.3 mm W x 2.9 mm L x 0.94 mm H |
峰值浪涌电流 | 2.35 A |
峰值脉冲功率耗散 | 40 W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
工作电压 | 8.5 V |
工厂包装数量 | 3000 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 11.4V |
电压-反向关态(典型值) | 8.5V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 17V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2.35A |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
系列 | MMBZxxxALT1 |
通道 | 2 Channels |
钳位电压 | 17 V |