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  • 型号: MMBZ12VALT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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MMBZ12VALT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ12VALT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ12VALT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ12VALT1G封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载MMBZ12VALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ12VALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23TVS二极管阵列 12V Dual Zener Common Anode

产品分类

TVS - 二极管

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor MMBZ12VALT1G-

数据手册

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产品型号

MMBZ12VALT1G

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

不同频率时的电容

-

产品种类

TVS二极管阵列

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBZ12VALT1GOSDKR

击穿电压

11.4 V

功率-峰值脉冲

40W

包装

Digi-Reel®

单向通道

2

双向通道

-

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

尺寸

1.3 mm W x 2.9 mm L x 0.94 mm H

峰值浪涌电流

2.35 A

峰值脉冲功率耗散

40 W

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

工作电压

8.5 V

工厂包装数量

3000

应用

通用

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

极性

Unidirectional

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

11.4V

电压-反向关态(典型值)

8.5V

电压-箝位(最大值)@Ipp

17V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

2.35A

电源线路保护

端接类型

SMD/SMT

类型

齐纳

系列

MMBZxxxALT1

通道

2 Channels

钳位电压

17 V

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