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MMBZ12VALT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ12VALT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ12VALT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ12VALT1G封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载MMBZ12VALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ12VALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ12VALT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 TVS(瞬态电压抑制器)二极管,属于超小型表面贴装器件。其主要应用场景如下: 1. 过电压保护 - MMBZ12VALT1G 的设计目的是为电路提供瞬态过电压保护,防止因雷击、静电放电(ESD)、电感负载开关或其他瞬态事件引起的电压尖峰对敏感电子设备造成损害。 - 它适用于低电压电路(工作电压范围为 3V 至 5V),能够有效钳制高达 14.8V 的峰值脉冲电压。 2. 消费电子领域 - 手机和便携式设备:用于保护 USB 接口、耳机插孔、充电接口等端口免受 ESD 和其他瞬态电压的影响。 - 音频设备:在音频输入/输出端口上使用,确保信号完整性并避免损坏。 - 智能家居设备:如智能音箱、摄像头等,保护通信接口和传感器。 3. 通信设备 - 在网络设备中,例如路由器、调制解调器或交换机中,用于保护以太网端口、Wi-Fi 模块和其他数据接口。 - 提供可靠的 ESD 防护,满足 IEC 61000-4-2 标准要求。 4. 工业应用 - 传感器保护:在工业自动化系统中,保护模拟信号输入和数字通信接口。 - 控制模块:用于 PLC(可编程逻辑控制器)或其他控制单元的接口保护。 - 电源管理:在低电压电源线路上提供瞬态抑制功能,确保系统的稳定运行。 5. 汽车电子 - 虽然该型号主要用于消费类和工业应用,但在某些非关键汽车子系统中也可以用作辅助保护元件,例如车载娱乐系统、导航模块或 CAN 总线接口。 特点总结 - 小尺寸封装:采用 SOD-323 封装,适合高密度 PCB 设计。 - 快速响应时间:能够在纳秒级别内抑制瞬态电压。 - 高可靠性:经过严格测试,确保在恶劣环境下的长期稳定性。 总之,MMBZ12VALT1G 是一款经济高效且性能可靠的 TVS 二极管,广泛应用于需要低电压保护的各种场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23TVS二极管阵列 12V Dual Zener Common Anode |
产品分类 | |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor MMBZ12VALT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBZ12VALT1G |
PCN设计/规格 | |
不同频率时的电容 | - |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBZ12VALT1GOSDKR |
击穿电压 | 11.4 V |
功率-峰值脉冲 | 40W |
包装 | Digi-Reel® |
单向通道 | 2 |
双向通道 | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
尺寸 | 1.3 mm W x 2.9 mm L x 0.94 mm H |
峰值浪涌电流 | 2.35 A |
峰值脉冲功率耗散 | 40 W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
工作电压 | 8.5 V |
工厂包装数量 | 3000 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 11.4V |
电压-反向关态(典型值) | 8.5V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 17V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2.35A |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
系列 | MMBZxxxALT1 |
通道 | 2 Channels |
钳位电压 | 17 V |