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  • 型号: MMBV109LT3G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV109LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV109LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBV109LT3G封装/规格:二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器), Varactor Single 30V Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBV109LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBV109LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBV109LT3G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款二极管,属于可变电容二极管(Varactor Diode)类别。这种二极管的主要特点是其结电容可以根据所施加的反向偏置电压发生变化,因此广泛应用于需要动态调整电容值的场景中。以下是 MMBV109LT3G 的主要应用场景:

1. 调谐电路  
   可变电容二极管常用于无线通信设备中的调谐电路,例如收音机、电视接收器和无线模块等。通过改变反向偏置电压,可以动态调整谐振频率,实现对不同频道或频率的选择。

2. 频率合成器  
   在频率合成器中,MMBV109LT3G 用于压控振荡器(VCO)的设计。通过调节二极管的电容值,可以控制振荡器输出的频率,从而满足各种射频(RF)应用的需求。

3. 滤波器设计  
   可变电容二极管可用于构建可调谐滤波器,例如带通滤波器或低通滤波器。通过调整二极管的电容值,可以改变滤波器的中心频率或带宽,适用于无线通信和信号处理领域。

4. 相位调制与频率调制  
   在调制解调器中,MMBV109LT3G 可用于实现相位调制(PM)或频率调制(FM)。通过改变电容值,可以对载波信号进行调制,从而传输信息。

5. 射频前端模块  
   在现代射频系统中,可变电容二极管被用于射频前端模块的频率控制部分。它们可以帮助优化系统的性能,适应不同的工作环境和频率范围。

6. 雷达和卫星通信  
   在雷达和卫星通信系统中,MMBV109LT3G 可用于动态调整天线匹配网络或滤波器参数,以提高信号传输效率和接收灵敏度。

总之,MMBV109LT3G 的高精度电容变化特性和紧凑封装使其成为高频电子设备中的关键元件,尤其适合需要动态频率调整的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE TUNING SS 30V SOT-23

产品分类

可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管)

品牌

ON Semiconductor

数据手册

产品图片

产品型号

MMBV109LT3G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Vr、F时的Q值

200 @ 3V,50MHz

不同 Vr、F时的电容

32pF @ 3V,1MHz

二极管类型

单一

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

10,000

电压-峰值反向(最大值)

30V

电容比

6.5

电容比条件

C3/C25

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