ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > MMBTH10LT3G
Datasheet下载- 型号： MMBTH10LT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTH10LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTH10LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBTH10LT3G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 25V 650MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBTH10LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTH10LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBTH10LT3G是由ON Semiconductor生产的双极射频晶体管（BJT），专为高频和射频应用设计。其主要应用场景包括： 1. 射频放大器 MMBTH10LT3G适用于低噪声放大器（LNA）和功率放大器（PA）的设计，尤其是在无线通信系统中。它能够提供稳定的增益和较低的噪声系数，确保信号在传输过程中不失真且保持高质量。该器件的工作频率范围较广，适合应用于Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线通信协议。 2. 射频开关 在射频前端模块中，MMBTH10LT3G可以用作射频开关，控制信号的通断。由于其快速的开关速度和低插入损耗，能够在不同的射频路径之间进行高效切换，适用于多频段或多模式设备，如智能手机、物联网（IoT）设备等。 3. 混频器 MMBTH10LT3G可以用于构建射频混频器，将接收到的高频信号转换为中频或基带信号，便于后续处理。其良好的线性度和动态范围使其在接收机中表现出色，适用于无线电接收设备、卫星通信系统等。 4. 振荡器 该晶体管也可以用作射频振荡器的核心元件，产生稳定的射频信号。其高频率特性和低相位噪声特性使其成为锁相环（PLL）和其他频率合成电路的理想选择，广泛应用于时钟生成、频率调制等领域。 5. 射频识别（RFID） 在RFID读写器和标签中，MMBTH10LT3G可用于信号的发送和接收，确保数据传输的可靠性和准确性。其低功耗和高性能特点使其特别适合电池供电的便携式RFID设备。 总结 MMBTH10LT3G凭借其优异的射频性能、低噪声和高可靠性，广泛应用于各种射频电路中，特别是在无线通信、射频识别、射频前端模块等领域。它的使用不仅提高了系统的性能，还简化了设计复杂度，降低了整体成本。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBTH10LT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 4mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 650MHz |
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