ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > MMBTH10-7-F
Datasheet下载- 型号： MMBTH10-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTH10-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTH10-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBTH10-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBTH10-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTH10-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的MMBTH10-7-F是一款射频（RF）双极晶体管（BJT），主要用于高频和射频应用。这类器件通常用于无线通信、射频识别（RFID）、蓝牙、Wi-Fi模块以及其他需要处理高频信号的设备中。 具体应用场景包括： 1. 无线通信系统：该晶体管可以用于无线通信系统的前端模块，如功率放大器、低噪声放大器（LNA）和混频器等。这些模块负责信号的放大和调制，确保信号在传输过程中保持高质量。 2. 射频识别（RFID）读写器：MMBTH10-7-F可以在RFID读写器中用于信号的发射和接收。它能够处理高频信号，确保标签与读写器之间的数据传输准确无误。 3. 蓝牙和Wi-Fi模块：在蓝牙和Wi-Fi模块中，这款晶体管可以用于信号放大和调制解调功能，确保设备能够在短距离内实现稳定的数据传输。 4. 无线传感器网络：在无线传感器网络中，MMBTH10-7-F可用于信号放大和处理，帮助传感器节点将采集到的数据通过无线方式发送到网关或中央控制器。 5. 手持设备和移动终端：该晶体管适用于手机、平板电脑和其他移动设备中的射频电路，提供稳定的信号放大和处理能力，支持多频段通信。 6. 测试和测量设备：在射频测试仪器中，MMBTH10-7-F可以用于信号源和接收机部分，确保测试信号的精度和稳定性。 总的来说，MMBTH10-7-F凭借其优异的射频性能和可靠性，广泛应用于各种高频和射频领域，为现代电子设备提供了关键的信号处理和放大功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3两极晶体管 - BJT 25V 300mW |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMBTH10-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBTH10-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 4mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBTH10-FDIDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 增益带宽产品fT | 650 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MMBTH10 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.05 A |
| 频率-跃迁 | 650MHz |
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