ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > MMBTH10-4LT1G
Datasheet下载- 型号： MMBTH10-4LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTH10-4LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTH10-4LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBTH10-4LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 25V 800MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBTH10-4LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTH10-4LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBTH10-4LT1G是一款双极射频晶体管（BJT），主要用于高频和射频应用。该型号具有以下应用场景： 1. 无线通信设备：MMBTH10-4LT1G适用于各种无线通信设备中的射频放大器，如蜂窝基站、Wi-Fi路由器和无线模块。它能够提供稳定的增益和低噪声性能，确保信号传输的质量和可靠性。 2. 射频识别（RFID）系统：在RFID读写器中，该晶体管可以用于信号放大和处理，以提高读取距离和准确性。其高频特性使得它能够在RFID系统的不同频段内高效工作。 3. 射频测试与测量仪器：在射频测试设备中，如频谱分析仪和信号发生器，MMBTH10-4LT1G可用于构建高性能的射频前端电路，提供精确的信号放大和处理能力，从而确保测量结果的准确性。 4. 卫星通信：在卫星通信系统中，该晶体管可以用于上行链路和下行链路的信号放大，确保信号在长距离传输过程中保持高质量和低失真。 5. 军事和航空航天应用：由于其出色的高频特性和可靠性，MMBTH10-4LT1G也广泛应用于军事通信设备和航空航天系统中，如雷达系统、导航设备和机载通信系统。这些应用对器件的性能和可靠性要求极高，而该晶体管能够满足这些严苛的要求。 6. 工业自动化和物联网（IoT）：在工业自动化和物联网设备中，该晶体管可以用于射频模块的设计，实现设备之间的无线通信和数据传输。其低功耗和高效率特性有助于延长设备的电池寿命并提高系统的整体性能。 总的来说，MMBTH10-4LT1G凭借其卓越的射频性能和可靠性，广泛应用于各类高频和射频相关领域，为现代电子设备提供了关键的技术支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23两极晶体管 - BJT 25V VHF Mixer NPN |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBTH10-4LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBTH10-4LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 4mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBTH10-4LT1G-ND |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 增益带宽产品fT | 800 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 系列 | MMBTH10L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 频率-跃迁 | 800MHz |
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