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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR DARL PNP SOT-23达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Fairchild Semiconductor MMBTA64- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBTA64 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 100µA, 100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20000 @ 100mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 达林顿晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-23 |
其它名称 | MMBTA64FSTR |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 60 mg |
发射极-基极电压VEBO | 10 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1.2 A |
最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1.2A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 10000 |
系列 | MMBTA64 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极—基极电压VCBO | 30 V |
零件号别名 | MMBTA64_NL |
频率-跃迁 | 125MHz |