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  • 型号: MMBTA63LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA63LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA63LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBTA63LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP - 达林顿 30V 500mA 125MHz 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBTA63LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTA63LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MMBTA63LT1G是一款NPN型小信号晶体管,属于双极晶体管(BJT)类别。它主要用于低功率、高频应用中,如射频(RF)放大器、混频器、振荡器和开关电路等。以下是该型号的具体应用场景:

1. 射频放大:MMBTA63LT1G适用于各种射频放大器电路,特别是在需要高增益和低噪声的应用中。它的高频特性使其在无线通信设备、蓝牙模块和其他短距离无线传输系统中表现优异。

2. 混频器与调制解调器:该晶体管可以用于构建混频器,实现频率转换功能。此外,在调制解调器设计中,它可以作为关键元件来处理信号的调制与解调过程。

3. 振荡器:MMBTA63LT1G可用于构建LC或RC振荡器,产生稳定的时钟信号。其良好的线性度和稳定性确保了输出波形的质量,适合用作时钟源或其他定时电路。

4. 开关应用:尽管主要针对模拟信号处理,但这款晶体管也可用于数字逻辑电平下的开关操作。例如,在电源管理电路中,它可以用作快速响应的开关元件,控制电流流向不同负载。

5. 音频前置放大器:对于一些小型音频设备,如耳机放大器或便携式音响系统,MMBTA63LT1G能够提供足够的增益来驱动后续级联的功率放大器,同时保持较低的失真水平。

6. 传感器接口:在某些情况下,该晶体管还可以用于将微弱的传感器信号进行初步放大,然后再传递给更复杂的处理单元。这有助于提高整个系统的灵敏度和可靠性。

总之,MMBTA63LT1G凭借其出色的电气性能,在众多电子设备中扮演着重要角色,尤其是在对频率响应要求较高的场合下具有明显优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS SS DARL PNP 30V SOT23达林顿晶体管 500mA 30V PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MMBTA63LT1G-

数据手册

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产品型号

MMBTA63LT1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 100µA, 100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

10000 @ 100mA,5V

产品目录页面

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产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBTA63LT1GOS
MMBTA63LT1GOS-ND
MMBTA63LT1GOSCT

功率-最大值

225mW

功率耗散

225 mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

10 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最大集电极截止电流

0.1 uA

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

5000

系列

MMBTA63L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极—基极电压VCBO

30 V

集电极连续电流

- 0.5 A

频率-跃迁

125MHz

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