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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA63LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA63LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBTA63LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP - 达林顿 30V 500mA 125MHz 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBTA63LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTA63LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBTA63LT1G是一款NPN型小信号晶体管,属于双极晶体管(BJT)类别。它主要用于低功率、高频应用中,如射频(RF)放大器、混频器、振荡器和开关电路等。以下是该型号的具体应用场景: 1. 射频放大:MMBTA63LT1G适用于各种射频放大器电路,特别是在需要高增益和低噪声的应用中。它的高频特性使其在无线通信设备、蓝牙模块和其他短距离无线传输系统中表现优异。 2. 混频器与调制解调器:该晶体管可以用于构建混频器,实现频率转换功能。此外,在调制解调器设计中,它可以作为关键元件来处理信号的调制与解调过程。 3. 振荡器:MMBTA63LT1G可用于构建LC或RC振荡器,产生稳定的时钟信号。其良好的线性度和稳定性确保了输出波形的质量,适合用作时钟源或其他定时电路。 4. 开关应用:尽管主要针对模拟信号处理,但这款晶体管也可用于数字逻辑电平下的开关操作。例如,在电源管理电路中,它可以用作快速响应的开关元件,控制电流流向不同负载。 5. 音频前置放大器:对于一些小型音频设备,如耳机放大器或便携式音响系统,MMBTA63LT1G能够提供足够的增益来驱动后续级联的功率放大器,同时保持较低的失真水平。 6. 传感器接口:在某些情况下,该晶体管还可以用于将微弱的传感器信号进行初步放大,然后再传递给更复杂的处理单元。这有助于提高整个系统的灵敏度和可靠性。 总之,MMBTA63LT1G凭借其出色的电气性能,在众多电子设备中扮演着重要角色,尤其是在对频率响应要求较高的场合下具有明显优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS SS DARL PNP 30V SOT23达林顿晶体管 500mA 30V PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MMBTA63LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBTA63LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 100µA, 100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 10000 @ 100mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 达林顿晶体管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBTA63LT1GOS |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 225 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 10 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 5000 |
系列 | MMBTA63L |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极—基极电压VCBO | 30 V |
集电极连续电流 | - 0.5 A |
频率-跃迁 | 125MHz |