ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MMBTA56-7-F
Datasheet下载- 型号： MMBTA56-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA56-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA56-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBTA56-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 500mA 50MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载MMBTA56-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTA56-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的MMBTA56-7-F是一款NPN型小信号晶体管，属于双极型晶体管（BJT）中的单个晶体管。它主要用于高频、低噪声和高速开关应用中，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制等领域。 应用场景： 1. 无线通信设备： MMBTA56-7-F具有较高的频率响应特性，适用于无线通信设备中的射频（RF）放大器、混频器和振荡器电路。其低噪声特性和高增益使其成为射频前端模块的理想选择。 2. 音频放大器： 该晶体管可用于音频信号的前置放大器或功率放大器的驱动级。其低噪声和高线性度有助于提高音频质量，减少失真。 3. 传感器接口电路： 在传感器接口电路中，MMBTA56-7-F可以用作信号调理元件，将微弱的传感器信号放大到适合后续处理的水平。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，它可以帮助提高信号的稳定性和精度。 4. 脉冲宽度调制（PWM）控制器： 该晶体管可以用于PWM控制器中的开关元件，实现对电机、LED等负载的高效控制。其快速开关特性有助于降低功耗并提高系统的响应速度。 5. 电源管理电路： MMBTA56-7-F可以用于低压差稳压器（LDO）或其他电源管理电路中的电流检测和控制部分。其低饱和电压和高电流增益有助于提高电源效率。 6. 数据传输线路保护： 在高速数据传输线路中，MMBTA56-7-F可以用作瞬态电压抑制（TVS）二极管的替代品，提供过压保护功能。它能够快速响应瞬态电压波动，保护敏感的集成电路免受损坏。 7. 便携式电子设备： 由于其小型化封装和低功耗特性，MMBTA56-7-F非常适合用于手机、平板电脑、智能手表等便携式电子设备中的各种信号处理和控制电路。 总之，MMBTA56-7-F凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，成为许多电子产品设计中的关键元件，尤其在需要高频、低噪声和高速开关的应用场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 80V SOT23-3两极晶体管 - BJT 100V 300mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMBTA56-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBTA56-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBTA56-FDIDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 4 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMBTA56 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.25 V |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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