Datasheet下载- 型号： MMBTA55LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA55LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA55LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBTA55LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBTA55LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTA55LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBTA55LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于小信号晶体管类别，具体为 NPN 型。该型号的应用场景广泛，主要适用于以下领域： 1. 信号放大： MMBTA55LT1G 可用于音频、射频和其他低功率信号的放大电路中。其高增益特性使其适合处理微弱信号，例如在无线通信设备、传感器信号调理电路和音频前置放大器中。 2. 开关应用： 作为 NPN 晶体管，它可以用作电子开关，控制其他器件的通断状态。例如，在 LED 驱动、继电器驱动或小型电机控制电路中，它可以高效地实现开关功能。 3. 电源管理： 在低功率电源管理电路中，该晶体管可以用于电流限制、电压调节或保护电路的设计。例如，过流保护电路或简单的线性稳压器中可能用到此型号。 4. 通信设备： 由于其良好的频率响应特性，MMBTA55LT1G 可应用于射频（RF）电路中，如调制解调器、收发器或其他高频信号处理模块。 5. 消费电子产品： 该晶体管常见于各种消费类电子产品中，例如遥控器、玩具、家用电器等，用于信号传输、放大或开关控制。 6. 工业控制： 在工业自动化领域，MMBTA55LT1G 可用于数据采集系统中的信号调理、传感器接口以及简单逻辑控制电路。 7. 教育与实验： 由于其低成本和易用性，这款晶体管也常被用于教学和实验项目中，帮助学生理解 BJT 的工作原理及其基本应用。 总之，MMBTA55LT1G 凭借其高增益、低噪声和紧凑封装的特点，成为许多低功率、小信号应用的理想选择。在设计时，需根据具体应用场景考虑其电气参数（如最大集电极电流、电压和频率范围）以确保其性能符合要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DRIVER SS PNP 60V SOT23两极晶体管 - BJT 500mA 60V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBTA55LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBTA55LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBTA55LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 4 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMBTA55L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.25 V |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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