【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_MMBTA42,215】封装/厂家_MMBTA42,215中文资料_价格

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型号： MMBTA42,215
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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MMBTA42,215产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA42,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA42,215价格参考。NXP SemiconductorsMMBTA42,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 NPN 300V 100mA 50MHz 250mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载MMBTA42,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBTA42,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS NPN 300V 100MA SOT23两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-7
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors MMBTA42,215-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MMBTA42,215
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 2mA，20mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	40 @ 30mA，10V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SOT-23 (TO-236AB)
其它名称	568-6344-6
功率-最大值	250mW
包装	Digi-Reel®
发射极-基极电压VEBO	6 V
商标	NXP Semiconductors
增益带宽产品fT	50 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	TO-236AB
工厂包装数量	3000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	250 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.2 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html
电压-集射极击穿（最大值）	300V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	25 at 1 mA at 10 V
直流集电极/BaseGainhfeMin	25
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	300 V
集电极—基极电压VCBO	300 V
零件号别名	MMBTA42 T/R
频率-跃迁	50MHz