ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > MMBT918LT1G
Datasheet下载- 型号： MMBT918LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT918LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT918LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBT918LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 50mA 600MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBT918LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT918LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBT918LT1G是一款双极射频晶体管（BJT），主要用于高频和射频应用中。以下是其主要应用场景： 1. 无线通信设备 MMBT918LT1G适用于各种无线通信设备，如对讲机、无线电收发器等。它能够处理高频信号，确保信号传输的稳定性和可靠性。在这些设备中，该晶体管通常用于信号放大、调制和解调等关键环节。 2. 射频功率放大器 该晶体管可用于射频功率放大器的设计，特别是在低功耗和小尺寸要求的应用中。它可以有效地放大射频信号，提升发射功率，同时保持较低的能耗。常见的应用包括移动通信基站、Wi-Fi路由器和其他无线网络设备。 3. 调谐电路 在射频调谐电路中，MMBT918LT1G可以用于实现频率选择和滤波功能。它能够精确控制频率响应，确保电路只通过所需的频率范围，从而提高系统的抗干扰能力和信号质量。 4. 混频器 在射频混频器中，该晶体管可以用于将不同频率的信号混合在一起，生成新的频率成分。这种应用常见于无线电接收机和发射机中，用于实现频率转换和信号处理。 5. 振荡器 MMBT918LT1G还可以用于构建射频振荡器，产生稳定的高频信号。它具有良好的线性和低噪声特性，适合用于时钟生成、本地振荡器等需要高精度和稳定性的场景。 6. 低噪声放大器 在低噪声放大器（LNA）中，该晶体管可以用于放大微弱的射频信号，同时尽量减少噪声引入。这对于提高接收机的灵敏度和信噪比至关重要，广泛应用于卫星通信、雷达系统等领域。 7. 测试与测量设备 在射频测试与测量设备中，MMBT918LT1G可用于信号源、频谱分析仪等仪器中，帮助工程师进行射频信号的分析和调试。 总的来说，MMBT918LT1G凭借其优异的射频性能和可靠性，在多种高频和射频应用中表现出色，是设计射频电路的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS SS VHF NPN 15V SOT23两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT918LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT918LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 3mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBT918LT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 6dB @ 60MHz |
| 增益 | 11dB |
| 增益带宽产品fT | 600 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | MMBT918L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 集电极连续电流 | 0.05 A |
| 频率-跃迁 | 600MHz |
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