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  • 型号: MMBT5962
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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MMBT5962产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5962由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5962价格参考。Fairchild SemiconductorMMBT5962封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 100mA 350mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBT5962参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT5962 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MMBT5962是一款NPN型双极性晶体管(BJT),广泛应用于各种电子电路中,主要用于信号放大和开关功能。以下是其主要应用场景:

1. 音频信号放大:MMBT5962可用于低功率音频放大器中,用于放大音频信号,适用于便携式音响设备、耳机放大器等。

2. 开关电路:由于其快速开关特性和较低的饱和电压,该晶体管适合用作开关元件,在LED驱动、继电器控制和其他数字逻辑接口电路中表现良好。

3. 电机控制:在小型直流电机控制应用中,MMBT5962可以用来实现简单的开/关控制或PWM调速功能,例如玩具电机、风扇等。

4. 信号调理:在传感器信号调理电路中,它可以用作电流增益级,将微弱的输入信号放大到后续处理阶段所需的电平。

5. 电源管理:作为负载开关或保护电路的一部分,帮助管理系统中的电流流动,确保设备安全运行。

6. 无线通信设备:在一些低频射频(RF)前端电路中,可能被用作缓冲器或驱动器,以提高效率和稳定性。

总之,MMBT5962因其良好的电气特性、可靠性和经济性而成为众多消费类电子产品、工业自动化系统以及汽车电子领域内的理想选择。具体应用时需根据实际需求考虑散热设计及匹配合适的外围元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN GP SOT-23两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBT5962-

数据手册

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产品型号

MMBT5962

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

600 @ 10mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23

其它名称

MMBT5962CT

功率-最大值

350mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

60 mg

发射极-基极电压VEBO

8 V

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

350 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

2nA (ICBO)

直流电流增益hFE最大值

1400

直流集电极/BaseGainhfeMin

600

系列

MMBT5962

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

45 V

集电极—射极饱和电压

0.2 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

-

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