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  • 型号: MMBT5551-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5551-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5551-7价格参考。Diodes Inc.MMBT5551-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT5551-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT5551-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS 160V 350MW NPN SMD SOT23-3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MMBT5551-7

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

MMBT5551-7DICT
MMBT5551CT
MMBT5551CT-ND
MMBT5551DICT
MMBT5551DICT-ND

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

NPN

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

160V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

300MHz

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