ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MMBT5087LT1G
Datasheet下载- 型号： MMBT5087LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5087LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5087LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBT5087LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 50V 50mA 40MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3（TO-236）。您可以下载MMBT5087LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT5087LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT5087LT1G 是由 ON Semiconductor 生产的单个双极晶体管 (BJT)，属于 NPN 类型。其主要应用场景如下： 1. 信号放大 MMBT5087LT1G 常用于低噪声、高增益的信号放大电路中。它具有较低的噪声系数和较高的电流增益（hFE），适用于音频放大器、无线通信设备中的射频（RF）信号放大等场景。由于其小信号特性优异，适合在需要高保真度的音频设备中使用。 2. 开关应用 该晶体管也可以用作开关元件，尤其是在需要高速开关的应用中。它的集电极-发射极饱和电压较低，能够有效减少开关损耗，适用于脉宽调制（PWM）控制器、DC-DC转换器、电机驱动器等电路中。此外，它还可以用于电源管理电路中的负载开关，确保电流快速导通或关断。 3. 逻辑电平转换 在不同电压电平之间的逻辑信号转换中，MMBT5087LT1G 可以作为一个高效的电平转换器。例如，在微控制器与外围设备之间进行逻辑电平转换时，该晶体管可以确保信号的稳定传输，避免电压不匹配导致的误触发或损坏。 4. 保护电路 MMBT5087LT1G 还可用于设计过流保护、短路保护等电路。通过检测电流的变化，晶体管可以在异常情况下迅速切断电流路径，保护后续电路免受损坏。这种保护机制广泛应用于消费电子、工业控制等领域。 5. 温度传感器 由于双极晶体管的基极-发射极电压（Vbe）对温度有较好的线性响应，MMBT5087LT1G 可以用作简易的温度传感器。通过测量 Vbe 的变化，可以推算出环境温度，适用于一些对温度敏感的场合，如电池管理系统中的温度监控。 总结 MMBT5087LT1G 凭借其优良的电气性能和广泛的适用性，成为许多电子设备中不可或缺的组件。无论是信号放大、开关控制，还是保护电路设计，它都能提供可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 50V 50MA SOT23两极晶体管 - BJT 50mA 50V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT5087LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT5087LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 100µA， 5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBT5087LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 40 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50nA （ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 |
| 系列 | MMBT5087L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.3 V |
| 集电极连续电流 | - 0.05 A |
| 频率-跃迁 | 40MHz |
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