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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT4401WT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT4401WT1G价格参考¥0.10-¥0.15。ON SemiconductorMMBT4401WT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 600mA 250MHz 150mW 表面贴装 SC-70-3(SOT323)。您可以下载MMBT4401WT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT4401WT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的MMBT4401WT1G是一款NPN型双极性晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号广泛应用于多种电子电路中,以下是其主要应用场景: 1. 开关应用: MMBT4401WT1G常用于数字电路中的开关功能,例如驱动继电器、小型电机或LED等负载。由于其低饱和电压和快速开关特性,适合需要高效能开关的应用。 2. 信号放大: 作为一款通用放大晶体管,它可用于音频信号放大器、射频(RF)放大器以及传感器信号调理电路中,提供稳定的电流增益和电压放大。 3. 电源管理: 在低压电源管理系统中,该晶体管可用作电流调节器或稳压器的一部分,帮助维持输出电压的稳定性。 4. 通信设备: MMBT4401WT1G适用于低噪声放大器(LNA)和其他通信相关电路,支持无线通信模块或调制解调器的设计。 5. 消费类电子产品: 包括遥控器、玩具、家用电器等小型设备中,用作控制信号传输或驱动简单外设的元件。 6. 汽车电子: 虽然工作环境较为苛刻,但在某些非关键车载系统(如指示灯控制、风扇速度调节等)中也有应用。 7. 测试与测量仪器: 在便携式测试设备中,可用来构建精确的电流源或作为缓冲级以隔离敏感电路。 总之,MMBT4401WT1G凭借其优秀的电气性能和可靠性,成为许多低功耗、低成本设计的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS GP SS NPN 40V SOT323两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT4401WT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBT4401WT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
其它名称 | MMBT4401WT1GOSDKR |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 250 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SC-70-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 150 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
系列 | MMBT4401WT1 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.75 V |
集电极连续电流 | 0.6 A |
频率-跃迁 | 250MHz |