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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT4401T-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT4401T-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBT4401T-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 600mA 250MHz 150mW 表面贴装 SOT-523。您可以下载MMBT4401T-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT4401T-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT4401T-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 型双极结型晶体管(BJT),属于 MMBT4401 系列。它是一种小型、高性能的通用晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关应用 - MMBT4401T-7-F 可用作电子开关,用于控制其他设备的开启和关闭。例如,在数字电路中,它可以作为信号驱动器,用于驱动继电器、LED 或小型电机。 - 在电源管理中,该晶体管可以用来实现简单的负载开关功能。 2. 信号放大 - 由于其低噪声特性和较高的增益(典型值为 100 至 300),这款晶体管非常适合用于音频信号放大电路,例如前置放大器或耳机放大器。 - 它也可以用于无线通信设备中的低功率信号放大。 3. 电流放大 - 在需要将微弱电流放大的场合,如传感器信号处理,MMBT4401T-7-F 可以将输入电流转换为更大的输出电流,从而驱动后续负载。 4. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 电路中,该晶体管可以用作功率级驱动器,用于控制 LED 亮度、直流电机速度或伺服电机位置。 5. 射频 (RF) 应用 - 虽然 MMBT4401T-7-F 不是专门设计用于高频应用,但它仍可以在较低频率的射频电路中充当缓冲器或小信号放大器。 6. 保护电路 - 在过流保护或短路保护电路中,该晶体管可以用作电流检测元件,通过监测负载电流来触发保护机制。 特性总结: - 集电极-发射极电压 (Vce):40V - 集电极电流 (Ic):600mA - 功耗 (Ptot):625mW - 增益 (hFE):100 至 300 这些特性使其适用于低至中等功率的消费类电子产品、工业设备以及汽车电子系统中的多种场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 40V SOT-523两极晶体管 - BJT 40V 150mW |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMBT4401T-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBT4401T-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,1V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-523 |
其它名称 | MMBT4401T-FDIDKR |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 250 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-523 |
封装/箱体 | SOT-523 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 150 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 300 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | MMBT4401 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.75 V |
集电极连续电流 | 0.6 A |
频率-跃迁 | 250MHz |