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MMBT4401LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT4401LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT4401LT1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorMMBT4401LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBT4401LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT4401LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN 40V 600MA SOT23两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT4401LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBT4401LT1G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBT4401LT1GOSDKR |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 250 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 225 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
系列 | MMBT4401L |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.75 V |
集电极连续电流 | 0.6 A |
频率-跃迁 | 250MHz |