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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN GP SOT-23两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBT4400- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBT4400 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 150mA,10V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23 |
其它名称 | MMBT4400-ND |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 60 mg |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 350 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 150 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
系列 | MMBT4400 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.75 V |
集电极连续电流 | 0.6 A |
零件号别名 | MMBT4400_NL |
频率-跃迁 | - |