ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MMBT3906-G
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBT3906-G
- 制造商： COMCHIP TECHNOLOGY
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT3906-G由COMCHIP TECHNOLOGY设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT3906-G价格参考。COMCHIP TECHNOLOGYMMBT3906-G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 200mA 300MHz 200mW 表面贴装 SOT-23。您可以下载MMBT3906-G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT3906-G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SOT-23射频双极晶体管 VCEO=40V IC=100mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Comchip Technology |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Comchip Technology MMBT3906-G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT3906-G |
| RoHS指令信息 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Comchip Technology |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | Bipolar Power |
| 最大工作频率 | 300 MHz |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 类型 | RF Bipolar Power |
| 系列 | MMBT3906 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 集电极连续电流 | - 0.2 A |
| 频率 | 300 MHz |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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