ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MMBT3904LP-7
Datasheet下载- 型号： MMBT3904LP-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT3904LP-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT3904LP-7价格参考￥0.47-￥2.73。Diodes Inc.MMBT3904LP-7封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 200mA 300MHz 250mW 表面贴装 3-DFN1006（1.0x0.6）。您可以下载MMBT3904LP-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT3904LP-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的MMBT3904LP-7是一款NPN型双极晶体管（BJT），广泛应用于各种低功率、小信号放大和开关电路中。该型号属于通用的2N3904系列，具有小型化封装（SOT-23）的特点，适合于空间受限的应用场景。 应用场景： 1. 音频放大器： MMBT3904LP-7常用于音频放大器中的前置放大级或驱动级。它能够提供稳定的增益和较低的噪声，适用于便携式音响设备、耳机放大器等。 2. 开关电路： 该晶体管可以作为开关元件使用，控制LED、继电器、小型电机等负载。由于其低饱和电压和快速开关特性，适合用于脉宽调制（PWM）控制电路。 3. 传感器接口： 在传感器信号调理电路中，MMBT3904LP-7可用于将微弱的传感器信号放大到可处理的电平。例如，温度传感器、压力传感器等需要信号放大的场合。 4. 电源管理： 在低压差线性稳压器（LDO）或直流-直流转换器中，MMBT3904LP-7可以用作电流检测或保护电路中的关键元件。它还适用于电池充电管理电路中的过流保护。 5. 通信设备： 该晶体管在射频（RF）前端模块中有应用，如手机、对讲机等无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）。它能够有效放大接收到的微弱信号，同时保持较低的噪声系数。 6. 消费电子： 在各类消费电子产品中，如遥控器、智能手表、智能家居设备等，MMBT3904LP-7因其小巧的封装和可靠的性能而被广泛采用。它可以用于信号传输、逻辑电平转换等任务。 7. 工业自动化： 在工业控制系统中，该晶体管可用于驱动光电耦合器、隔离电路等，确保系统的可靠性和抗干扰能力。 总之，MMBT3904LP-7凭借其优异的电气特性和紧凑的封装尺寸，在众多领域都有着广泛的应用前景，特别是在需要低功耗、高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 40V 200MADFN1006-3两极晶体管 - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMBT3904LP-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT3904LP-7 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 其它名称 | MMBT3904LP-7DI |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 350 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 at 10 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 1 V |
| 系列 | MMBT3904 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
| 集电极连续电流 | 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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