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Datasheet下载- 型号： MMBT2222AT
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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MMBT2222AT产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2222AT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2222AT价格参考。Fairchild SemiconductorMMBT2222AT封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 600mA 300MHz 250mW 表面贴装 SOT-523F。您可以下载MMBT2222AT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT2222AT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN EPIT 40V 600MA SOT523F两极晶体管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBT2222AT- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT2222AT |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-523F |
| 其它名称 | MMBT2222AT-ND |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 封装/箱体 | SOT-523F |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 35 at 0.1 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 at 0.1 mA at 1 V, 50 at 1 mA at 1 V, 75 at 10 mA at 1 V, 100 at 150 mA at 1 V |
| 系列 | MMBT2222 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 75 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
