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Datasheet下载- 型号： MMBT2222AT
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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MMBT2222AT产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2222AT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2222AT价格参考。Fairchild SemiconductorMMBT2222AT封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 600mA 300MHz 250mW 表面贴装 SOT-523F。您可以下载MMBT2222AT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT2222AT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT2222AT 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管（BJT），属于 MMBT 系列的小信号晶体管。它广泛应用于各种电子电路中，以下是其主要应用场景： 1. 放大器设计： MMBT2222AT 可用于音频、射频和其他类型的信号放大电路。由于其高增益（典型值为 100-300）和低噪声特性，适合用作前置放大器或中间级放大器。 2. 开关应用： 该晶体管常被用作开关元件，例如在数字电路中驱动 LED、继电器或小型电机。其集电极电流能力可达 600mA，能够满足大多数低功率开关需求。 3. 电源管理： 在简单的稳压电路或负载调节电路中，MMBT2222AT 可以作为关键的控制元件，帮助实现电压或电流的稳定输出。 4. 信号调制与解调： 它可用于 AM/FM 调制解调器中，处理低频至高频范围内的信号转换。 5. 脉冲宽度调制 (PWM)： 在一些基础的 PWM 控制电路中，MMBT2222AT 可以用来调节输出功率或亮度。 6. 传感器接口： 结合传感器使用时，该晶体管可以将微弱的输入信号放大到可检测水平，或者作为传感器的驱动元件。 7. 教育与实验： 由于其通用性和低成本，MMBT2222AT 经常出现在教学实验室和 DIY 项目中，供学生和爱好者学习 BJT 的工作原理。 总的来说，MMBT2222AT 因其可靠性、易用性和广泛的适用性，成为许多低功耗、小信号应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN EPIT 40V 600MA SOT523F两极晶体管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBT2222AT- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT2222AT |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-523F |
| 其它名称 | MMBT2222AT-ND |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 封装/箱体 | SOT-523F |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 35 at 0.1 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 at 0.1 mA at 1 V, 50 at 1 mA at 1 V, 75 at 10 mA at 1 V, 100 at 150 mA at 1 V |
| 系列 | MMBT2222 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 75 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
