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  • 型号: MMBT2222AM3T5G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MMBT2222AM3T5G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2222AM3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2222AM3T5G价格参考¥0.19-¥0.19。ON SemiconductorMMBT2222AM3T5G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 600mA 300MHz 640mW 表面贴装 SOT-723。您可以下载MMBT2222AM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT2222AM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MMBT2222AM3T5G是一款NPN型双极晶体管(BJT),广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是该型号的主要应用场景:

1. 开关应用:MMBT2222AM3T5G常用于数字电路中的开关应用,如继电器驱动、LED驱动等。其低饱和电压和快速开关特性使其非常适合这些场景。例如,在汽车电子系统中,它可用于控制车灯、喇叭等负载的通断。

2. 信号放大:该晶体管也可用于音频放大器、传感器信号放大等模拟电路中。其较高的电流增益(hFE)和较低的噪声特性使得它在小信号放大方面表现出色,适用于便携式音频设备、麦克风前置放大器等。

3. 电源管理:在电源管理系统中,MMBT2222AM3T5G可以作为线性稳压器的一部分,帮助调节输出电压或电流。此外,它还可以用于过流保护电路,确保电源系统的安全运行。

4. 通信设备:在通信设备中,这款晶体管可用于调制解调器、收发器等模块中的信号处理。其良好的频率响应特性使其适合高频信号的放大和传输。

5. 工业自动化:在工业控制系统中,MMBT2222AM3T5G可用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口等场合。它能够承受一定的环境温度变化,具有较好的稳定性和可靠性。

6. 消费电子产品:常见的消费电子产品如遥控器、玩具、智能家居设备等也广泛使用这类晶体管进行信号处理和控制功能。

总之,MMBT2222AM3T5G凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,在众多领域内都有出色的表现,是设计工程师们常用的元器件之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 40V 600MA SOT-723两极晶体管 - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT2222AM3T5G-

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产品型号

MMBT2222AM3T5G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-723

其它名称

MMBT2222AM3T5G-ND
MMBT2222AM3T5GOSTR

功率-最大值

640mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-723

封装/箱体

SOT-723

工厂包装数量

8000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

640 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.6 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

8,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

10nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

35 at 0.1 mA at 10 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

35 at 0.1 mA at 10 V, 50 at 1 mA at 10 V, 75 at 10 mA at 10 V, 100 at 150 mA at 10 V, 50 at 150 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 10 V

系列

MMBT2222AM3

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

75 V

频率-跃迁

300MHz

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