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MMBT2222AM3T5G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2222AM3T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2222AM3T5G价格参考¥0.19-¥0.19。ON SemiconductorMMBT2222AM3T5G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 600mA 300MHz 640mW 表面贴装 SOT-723。您可以下载MMBT2222AM3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT2222AM3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBT2222AM3T5G是一款NPN型双极晶体管(BJT),广泛应用于各种电子设备和电路中。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关应用:MMBT2222AM3T5G常用于数字电路中的开关应用,如继电器驱动、LED驱动等。其低饱和电压和快速开关特性使其非常适合这些场景。例如,在汽车电子系统中,它可用于控制车灯、喇叭等负载的通断。 2. 信号放大:该晶体管也可用于音频放大器、传感器信号放大等模拟电路中。其较高的电流增益(hFE)和较低的噪声特性使得它在小信号放大方面表现出色,适用于便携式音频设备、麦克风前置放大器等。 3. 电源管理:在电源管理系统中,MMBT2222AM3T5G可以作为线性稳压器的一部分,帮助调节输出电压或电流。此外,它还可以用于过流保护电路,确保电源系统的安全运行。 4. 通信设备:在通信设备中,这款晶体管可用于调制解调器、收发器等模块中的信号处理。其良好的频率响应特性使其适合高频信号的放大和传输。 5. 工业自动化:在工业控制系统中,MMBT2222AM3T5G可用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口等场合。它能够承受一定的环境温度变化,具有较好的稳定性和可靠性。 6. 消费电子产品:常见的消费电子产品如遥控器、玩具、智能家居设备等也广泛使用这类晶体管进行信号处理和控制功能。 总之,MMBT2222AM3T5G凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,在众多领域内都有出色的表现,是设计工程师们常用的元器件之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN 40V 600MA SOT-723两极晶体管 - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT2222AM3T5G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBT2222AM3T5G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-723 |
其它名称 | MMBT2222AM3T5G-ND |
功率-最大值 | 640mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-723 |
封装/箱体 | SOT-723 |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 640 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
直流电流增益hFE最大值 | 35 at 0.1 mA at 10 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 at 0.1 mA at 10 V, 50 at 1 mA at 10 V, 75 at 10 mA at 10 V, 100 at 150 mA at 10 V, 50 at 150 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 10 V |
系列 | MMBT2222AM3 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 75 V |
频率-跃迁 | 300MHz |