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  • 型号: MMBT200
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT200由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT200价格参考¥0.14-¥0.14。Fairchild SemiconductorMMBT200封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT200参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT200 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP GP 45V 500MA SOT-23两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBT200-

数据手册

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产品型号

MMBT200

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 20mA,200mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

MMBT200CT

功率-最大值

350mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

60 mg

发射极-基极电压VEBO

- 6 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

250 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

350 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

50nA

直流电流增益hFE最大值

450

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

MMBT200

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极连续电流

0.5 A

零件号别名

MMBT200_NL

频率-跃迁

250MHz

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