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Datasheet下载- 型号： MMBFJ271
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MMBFJ271产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ271由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ271价格参考。Fairchild SemiconductorMMBFJ271封装/规格：晶体管 - JFET， JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBFJ271参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ271 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET P-CH 30V 225MW SOT23JFET P-Channel Switch |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ271- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ271 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 225 mW |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | - 6 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 1.5V @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 6mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBFJ271DKR |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | - 30 V |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 系列 | MMBFJ271 |
