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详细数据请看参考数据手册

型号： MMBFJ177LT1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ177LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ177LT1价格参考。ON SemiconductorMMBFJ177LT1封装/规格：晶体管 - JFET， JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBFJ177LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ177LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBFJ177LT1是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款JFET（结型场效应晶体管）。该型号的晶体管具有低噪声、高输入阻抗和良好的线性度等特点，因此在多种应用场景中表现出色。

 应用场景：

1. 音频放大器：
   MMBFJ177LT1因其低噪声特性，常用于音频信号的前置放大电路。它能够有效地放大微弱的音频信号，同时保持信号的纯净度，适用于高质量的音响设备、耳机放大器和麦克风前置放大器等。

2. 模拟开关：
   由于其高输入阻抗和低导通电阻，MMBFJ177LT1可以作为模拟开关使用。它可以在不同的信号路径之间进行切换，而不会对信号产生显著的干扰或失真，适用于多路复用器、自动测试设备（ATE）和数据采集系统。

3. 传感器接口：
   在传感器应用中，MMBFJ177LT1可以作为传感器信号的缓冲放大器。它的高输入阻抗特性使得它不会对传感器负载产生影响，从而保证了传感器输出信号的准确性。常见的应用包括温度传感器、压力传感器和光电传感器等。

4. 射频（RF）电路：
   MMBFJ177LT1在射频电路中也有广泛应用，特别是在低噪声放大器（LNA）中。它能够有效放大高频信号，同时保持较低的噪声系数，适用于无线通信设备、收音机和雷达系统等。

5. 电源管理：
   在一些低功耗应用中，MMBFJ177LT1可以用作电压控制开关或电流限制元件。它能够在不影响电路性能的情况下，实现精确的电流控制，适用于电池管理系统、LED驱动器和其他便携式电子设备。

6. 实验和教育用途：
   由于其简单易用且性能稳定，MMBFJ177LT1也广泛应用于教学实验和科研项目中。学生和研究人员可以利用它来构建各种基础电路，帮助理解场效应晶体管的工作原理和特性。

总之，MMBFJ177LT1凭借其优异的电气特性，在音频、模拟信号处理、传感器接口、射频电路和电源管理等多个领域都有广泛的应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	JFET P-CH 30V 225MW SOT23
产品分类	JFET（结点场效应
FET类型	P 沟道
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMBFJ177LT1
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的电压-截止（VGS关）	800mV @ 10nA
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)	1.5mA @ 15V
不同Vds时的输入电容(Ciss)	11pF @ 10V（VGS）
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMBFJ177LT1OSCT
功率-最大值	225mW
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	10
漏极电流(Id)-最大值	-
漏源极电压(Vdss)	-
电压-击穿(V(BR)GSS)	30V
电阻-RDS（开）	300 欧姆