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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | JFET P-CH 30V 225MW SOT23 |
产品分类 | JFET(结点场效应 |
FET类型 | P 沟道 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMBFJ175LT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 3V @ 10nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 7mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11pF @ 10V(VGS) |
供应商器件封装 | SOT-23 |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 10,000 |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
电阻-RDS(开) | 125 欧姆 |