ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - JFET > MMBFJ110
Datasheet下载- 型号： MMBFJ110
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ110由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ110价格参考。Fairchild SemiconductorMMBFJ110封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 25V 460mW Surface Mount SuperSOT-3。您可以下载MMBFJ110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 25V 460MW 3-SSOTMOSFET N-CH FET/SSOT-23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 mA |
| Id-连续漏极电流 | 10 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ110- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ110 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 460 mW |
| Pd-功率耗散 | 460 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 4V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 10mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
| 其它名称 | MMBFJ110CT |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
| 电阻-RDS（开） | 18 欧姆 |
| 系列 | MMBFJ110 |
| 配置 | Single |
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