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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | JFET N-CH 25V 350MW SOT23JFET N-Channel Transistor General Purpose |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBF5457- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBF5457 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 350 mW |
Pd-功率耗散 | 350 mW |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 2 mA to 6.5 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 500mV @ 10nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBF5457DKR |
功率-最大值 | 350mW |
功率耗散 | 350 mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 60 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 0.001 S to 0.005 S |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
电阻-RDS(开) | - |
系列 | MMBF5457 |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | - 25 V |
闸/源截止电压 | - 6 V |
零件号别名 | MMBF5457_NL |