ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - JFET > MMBF4393
Datasheet下载- 型号： MMBF4393
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4393由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4393价格参考￥0.62-￥0.62。Fairchild SemiconductorMMBF4393封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 30V 350mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBF4393参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF4393 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 30V 350MW SOT23JFET N-Channel Switch |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBF4393- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBF4393 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 Ohms |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA to 30 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 500mV @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 20V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBF4393CT |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 100 欧姆 |
| 系列 | MMBF4393 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 30 V |
| 闸/源截止电压 | - 3 V |
| 零件号别名 | MMBF4393_NL |
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