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Datasheet下载- 型号： MMBF4392LT1
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4392LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4392LT1价格参考。ON SemiconductorMMBF4392LT1封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBF4392LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF4392LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBF4392LT1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 JFET（结型场效应晶体管），其主要应用场景包括以下方面： 1. 信号放大： MMBF4392LT1 具有低噪声特性和高输入阻抗，适用于音频和射频信号的放大电路。例如，在音频设备中用作前置放大器，能够有效放大微弱信号而不引入过多噪声。 2. 开关应用： 作为 JFET，该器件可以用于模拟开关或数字开关电路。其快速开关速度和低导通电阻使其适合需要精确控制的电路，如多路复用器或采样保持电路。 3. 缓冲器设计： 高输入阻抗特性使 MMBF4392LT1 成为缓冲器的理想选择，尤其是在需要隔离源极与负载的情况下，例如在传感器接口或信号传输链路中。 4. 混频器和调制器： 在射频和通信领域，JFET 常用于实现混频器和调制器功能。MMBF4392LT1 的线性度和频率响应性能支持这些高频应用。 5. 可变增益放大器： 利用 JFET 的栅极电压控制特性，MMBF4392LT1 可以设计成可变增益放大器，广泛应用于自动增益控制 (AGC) 系统中。 6. 电源管理： 在一些低功耗应用中，MMBF4392LT1 可用于电流限制、电压调节或简单稳压电路的设计。 总之，MMBF4392LT1 凭借其优良的电气特性和稳定性，适用于各种需要低噪声、高输入阻抗以及精密控制的电子电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 30V 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBF4392LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 2V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 25mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 15V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBF4392LT1OSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 60 欧姆 |
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